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BFQ621

更新时间: 2024-11-20 22:32:03
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 111K
描述
NPN 7 GHz wideband transistor

BFQ621 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):0.15 A
基于收集器的最大容量:1.2 pF集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):7000 MHz
Base Number Matches:1

BFQ621 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFQ621  
NPN 7 GHz wideband transistor  
1995 Sep 26  
Product specification  
Supersedes data of 1995 Apr 11  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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