是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压: | 10 V | 配置: | SINGLE |
最高频带: | L BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | NPN |
最小功率增益 (Gp): | 10.9 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 8000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFG67_08 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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BFG67_15 | JMNIC |
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NPN 8 GHz wideband transistors |
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BFG67_2015 | JMNIC |
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NPN 8 GHz wideband transistors |
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BFG67-GS08 | VISHAY |
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Transistor |
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BFG67R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-143R |
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BFG67T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-143 |
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BFG67TRL | NXP |
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暂无描述 |
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BFG67TRL13 | YAGEO |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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BFG67W | NXP |
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NPN 8 GHz wideband transistor |
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BFG67W/X | NXP |
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NPN 8 GHz wideband transistor |
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