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BFG92A

更新时间： 2024-01-03 18:43:56

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	40K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFG92A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.76
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.025 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最高频带：	MILLIMETER WAVE BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz
Base Number Matches：	1

BFG92A 数据手册

BFG92A

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

RF amplifier up to GHz range specially for wide band

antenna amplifier.

Features

High power gain

Low noise figure

High transition frequency

13 579

94 9279

BFG92A Marking: P8

Plastic case (SOT 143)

1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

200

150

–65 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85075

Rev. 1, 11-Nov-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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