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BFG67W/X

更新时间: 2024-01-31 23:04:37
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 103K
描述
NPN 8 GHz wideband transistor

BFG67W/X 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.18
其他特性:TUNER最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):11 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7500 MHzBase Number Matches:1

BFG67W/X 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFG67W  
BFG67W/X; BFG67W/XR  
NPN 8 GHz wideband transistor  
August 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  
Philips Semiconductors  

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