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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | TUNER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG67-X | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
|
| BFG67XR | ETC |
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NPN 8 GHz wideband transistors |
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| BFG67XRTRL | NXP |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFG67XRTRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG67XTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG67XTRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
|
| BFG741 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFG741TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFG741TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
|
| BFG90A | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor, |
|
压敏电阻与气体放电管串联使用的专业解析
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