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BFG67TRL13

更新时间: 2024-02-24 13:19:43
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

BFG67TRL13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.18
其他特性:TUNER最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):10.9 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):7500 MHz
Base Number Matches:1

BFG67TRL13 数据手册

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