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BFG67

更新时间： 2024-01-23 21:04:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	41K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFG67 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.18
其他特性：	TUNER	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最小功率增益 (Gp)：	11 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7500 MHz	Base Number Matches：	1

BFG67 数据手册

BFG67

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This

transistor has superior noise figure and associated

gain performance at UHF, VHF and microwave

frequencies.

Features

Small feedback capacitance

Low noise figure

High transition frequency

13 579

94 9279

BFG67 Marking: V3

Plastic case (SOT 143)

1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

2.5

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

200

150

–65 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85074

Rev. 1, 11-Nov-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

1 (4)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BFG67/X-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
BFG67/XT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 10V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-143
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