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BDX53C PDF预览

BDX53C

更新时间： 2024-11-23 22:30:03
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体驱动器音频放大器晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications

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BDX53C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.75
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

BDX53C 数据手册

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BDX53/A/B/C  
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications  
Power Liner and Switching Applications  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
V
Collector-Emitter Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
I
8
12  
C
A
CP  
B
0.2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
60  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BDX53  
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
I
I
Collector Cut-off Current : BDX53  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
Collector Cut-off Current : BDX53  
V
V
V
V
= 22V, I = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
B
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
= 30V, I = 0  
B
= 40V, I = 0  
B
= 50V, I = 0  
B
I
Emitter Cut-off Current  
V
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
= 3V, I = 3A  
750  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Parallel Diode Forward Voltage  
I
I
= 3A, I = 12mA  
2
2.5  
2.5  
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
(sat)  
= 3A, I = 12mA  
B
I = 3A  
1.8  
2.5  
V
V
F
I = 8A  
F
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BDX53C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDX53CG ONSEMI

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX53C16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53C16A MOTOROLA

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 		8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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