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BDX53CTU

更新时间： 2024-11-05 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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BDX53CTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.02
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

BDX53CTU 数据手册

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by BDX53B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B  
= 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
BDX53B  
BDX54B  
BDX53C  
BDX54C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
12  
Base Current  
I
B
0.2  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
stg  
–65 to +150  
C
J
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJA  
70  
θJC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
T
C
2.0 40  
1.0 20  
0
T
A
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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BDX53CTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIP142TTU ONSEMI

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 1000-TUBE
BDX53CG ONSEMI

类似代替

 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
BDX53C ONSEMI

类似代替

 DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80-100 VOLTS 65 WATTS

与BDX53CTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX53CU MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53CU2 MOTOROLA

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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53CUA MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53CW MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53CWD MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53D MOTOROLA

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 		Transistor
BDX53D NJSEMI

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 		Trans Darlington NPN 80V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
BDX53D16 MOTOROLA

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 		8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53D16A MOTOROLA

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 		8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53DA MOTOROLA

获取价格

 		8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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