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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> TIP142TTU
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TIP142TTU

更新时间： 2024-11-04 12:59:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 1000-TUBE

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TIP142TTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.06
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP142TTU 数据手册

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by TIP140/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency switching applications.  
•
•
High DC Current Gain — Min h  
FE  
= 1000 @ I = 5 A, V  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mA  
= 4 V  
CE  
C
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP140, TIP145  
= 80 Vdc (Min) — TIP141, TIP146  
= 100 Vdc (Min) — TIP142, TIP147  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor  
MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP140  
TIP145  
TIP141  
TIP146  
TIP142  
TIP147  
10 AMPERE  
DARLINGTON  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–100 VOLTS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
EB  
V
5.0  
125 WATTS  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
10  
15  
Base Current — Continuous  
Total Device Dissipation  
@ T = 25 C  
C
I
0.5  
Adc  
B
P
125  
Watts  
D
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Ambient  
R
1.0  
θJC  
θJA  
R
35.7  
CASE 340D–02  
(1) 5 ms,  
10% Duty Cycle.  
DARLINGTON SCHEMATICS  
NPN  
PNP  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
TIP140  
TIP141  
TIP142  
TIP145  
TIP146  
TIP147  
BASE  
BASE  
≈
8.0 k  
≈
40  
≈
8.0 k  
≈ 40  
EMITTER  
EMITTER  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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TIP142TTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDX53CTU ONSEMI

类似代替

 Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
MJE13007G ONSEMI

类似代替

 NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
BDX33CG ONSEMI

类似代替

 Darlington Complementary Silicon Power Transistors

与TIP142TTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP142TU ROCHESTER

获取价格

 		10A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P, 3 PIN
TIP142U BL Galaxy Electrical

获取价格

 		100V,10A,Complementary Power Darlington Transistor
TIP145 ISC

获取价格

 		isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
TIP145 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
TIP145 POINN

获取价格

 		PNP SILICON POWER DARLINGTONS
TIP145 TRSYS

获取价格

 		PNP SILICON POWER DARLINGTONS
TIP145 Wing Shing

获取价格

 		SILICON DARLINGTON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL(HIGH DC CURRENT GAIN)
TIP145 FAIRCHILD

获取价格

 		Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
TIP145 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP145 MOTOROLA

获取价格

 		10 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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