BDX53F

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX53F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

BDX53F 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX53F

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 8A

·High DC Current Gain-

: h_FE= 500(Min)@ I_C= 2A

·Complement to Type BDX54F

APPLICATIONS

·Designed for use in power linear and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

160

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

0.2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.08

℃/W

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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