5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDX53DT | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BDX53DU | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDX53DU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BDX53DUA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDX53DW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDX53DWD | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BDX53E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
|
| BDX53F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| BDX53F | TGS |
获取价格 |
Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors |
|
| BDX53F | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
