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BDX53CTU PDF预览

BDX53CTU

更新时间： 2024-02-19 08:41:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 146K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BDX53CTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.02
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

BDX53CTU 数据手册

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March 2011  
BDX53/A/B/C  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Applications  
• Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications  
• Power Liner and Switching Applications  
Features  
• Power Darlington TR  
• Complement to BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C respectively  
Equivalent Circuit  
C
B
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
R1  
R2  
R1 ≅ 8.4kΩ  
R2 ≅ 0.3kΩ  
E
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage : BDX53  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BDX53A  
: BDX53B  
: BDX53C  
100  
VEBO  
IC  
ICP  
IB  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
8
12  
A
0.2  
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
60  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
- 65 to 150  
© 2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
BDX53/A/B/C Rev. B0  
www.fairchildsemi.com  
1
12345

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