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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDX53BU2 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| BDX53BUA | MOTOROLA |
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8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BDX53BW | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| BDX53BWD | MOTOROLA |
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8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BDX53C | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDX53C | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDX53C | BOURNS |
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NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BDX53C | TGS |
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Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors |
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| BDX53C | TRSYS |
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NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS |
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| BDX53C | Wing Shing |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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