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BDX53C

更新时间： 2024-02-12 01:30:49
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2页 49K
描述
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS

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BDX53C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BDX53C 数据手册

 浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第2页 
Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
TO-220 Plastic Package  
BDX53, BDX53A, BDX53B, BDX53C  
BDX54, BDX54A, BDX54B, BDX54C  
BDX53, 53A, 53B, 53C  
BDX54, 54A, 54B, 54C  
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS  
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS  
Power Darlingtons for Linear and Switching Applications  
PIN CONFIGURATION  
1. BASE  
4
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
4. COLLECTOR  
1
2
3
C
DIM MIN.  
MAX.  
E
B
F
A
B
C
D
E
14.42  
9.63  
3.56  
16.51  
10.67  
4.83  
0.90  
1.40  
3.88  
2.79  
3.43  
0.56  
14.73  
4.07  
2.92  
31.24  
1.15  
3.75  
2.29  
2.54  
1
2
3
F
G
H
J
K
L
M
N
O
12.70  
2.80  
2.03  
J
D
G
M
DEG 7  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
53 53A 53B 53C  
54 54A 54B 54C  
Collector-base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current  
V
V
max. 45  
max. 45  
max.  
max.  
max.  
60  
60  
80 100  
80 100  
8.0  
60  
V
V
A
W
°C  
CBO  
CEO  
I
C
Total power dissipation up to T = 25°C  
P
C
tot  
Junction temperature  
T
j
150  
Collector-emitter saturation voltage  
I
= 3 A; I = 12 mA  
V
CEsat  
max.  
min.  
2.0  
V
C
B
D.C. current gain  
= 3 A; V = 3 V  
I
C
h
FE  
750  
CE  
RATINGS (at T =25°C unless otherwise specified)  
A
Limiting values  
53 53A 53B 53C  
54 54A 54B 54C  
Collector-base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Emitter-base voltage (open collector)  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
max. 45  
max. 45  
max.  
60  
60  
80 100  
80 100  
V
V
V
5.0  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX53C16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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