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BDX53C

更新时间： 2024-09-22 22:30:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

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BDX53C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A基于收集器的最大容量：300 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：60 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：4 V
Base Number Matches：1

BDX53C 数据手册

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by BDX53B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 4.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B  
= 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
V
V
= 2.0 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
DARLINGTON  
8 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
= 4.0 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
BDX53B  
BDX54B  
BDX53C  
BDX54C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
8.0  
12  
Base Current  
I
B
0.2  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
stg  
–65 to +150  
C
J
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
θJA  
70  
θJC  
T
T
C
A
4.0 80  
3.0 60  
T
C
2.0 40  
1.0 20  
0
T
A
0
20  
40  
60  
80  
100  
C)  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (  
°
Figure 1. Power Derating  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX53C16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX53C16A MOTOROLA

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 		8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53CA MOTOROLA

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 		8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53CAF MOTOROLA

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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BDX53CAJ ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX53CAS ONSEMI

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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX53CAU ONSEMI

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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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