BD676

更新时间： 2024-01-11 02:21:39

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3页	80K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD676 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.16
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

BD676 数据手册

PNP BD676-BD678-BD680-BD682

NPN BD675-BD677-BD679-BD681

SILICON DARLINGTON POWER

TRANSISTORS

The BD676-BD678-BD680-BD682 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic

Darlington circuit for audio and video applications.

They are mounted in Jedec TO-126 plastic package.

NPN complements are BD675-BD677-BD679-BD681 .

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD676

BD678

BD680

BD682

BD676

BD678

BD680

BD682

100

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

-V_CEO

-V_CBO

-V_EBO

-I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.1

-I_C

-I_CM

-I_BM

@ T_mb= 25°C

Base current (peak value)

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Watts

°C

-I_B

P_T

T_J

T_Stg

150

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to mouting base

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

3.12

100

K/W

R_thJ-mb

R_thJ-a

COMSET SEMICONDUCTORS

12 3

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