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BD676LEADFREE

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 340K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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BD676LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1 MHzBase Number Matches：1

BD676LEADFREE 数据手册

 浏览型号BD676LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
BD676 BD682  
BD678 BD684  
BD680  
www.centralsemi.com  
SILICON  
DESCRIPTION:  
PNP DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD676 series are  
silicon PNP Darlington power transistors designed for  
audio and video output applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL BD676 BD678 BD680 BD682 BD684 UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
V
V
V
45  
45  
60  
60  
80  
80  
5.0  
4.0  
6.0  
100  
40  
100  
100  
120  
120  
V
V
V
A
A
mA  
W
°C  
°C/W  
°C/W  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
I
P
B
D
T , T  
-65 to +150  
3.12  
100  
J
stg  
JC  
JA  
Θ
Θ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=Rated V  
=0.6Rated V  
=½Rated V  
=5.0V  
200  
μA  
mA  
μA  
mA  
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CB  
CB  
CE  
EB  
CBO  
CBO,  
CEO  
T =150°C  
2.0  
500  
5.0  
C
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
h
I =50mA (BD676)  
45  
60  
80  
100  
120  
C
I =50mA (BD678)  
C
I =50mA (BD680)  
C
I =50mA (BD682)  
C
I =50mA (BD684)  
C
I =1.5A, I =6.0mA (BD676: I =2.0A)  
2.5  
2.5  
V
V
C
B
C
C
C
V
V
V
=3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
CE  
CE  
CE  
C
=3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
750  
10  
C
=3.0V, I =1.5A,  
fe  
C
f=1.0MHz (BD676: I =2.0A)  
C
fh  
V
V
V
V
=3.0V, I =1.5A (BD676: I =2.0A)  
60  
kHz  
A
A
μs  
μs  
fe  
(SB)  
(SB)  
on  
CE  
CE  
CE  
CC  
C
C
I
I
t
t
=50V, tp=20ms  
0.8  
1.0  
=40V, tp=20ms (BD676)  
=30V, I  
=I  
=1.5A  
=6.0mA  
0.3  
1.5  
1.5  
5.0  
Con  
I
off  
Bon Boff  
R1 (13-March 2014)  
12

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