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BD676/D

更新时间： 2024-02-10 08:18:09
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4页 47K
描述
Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons

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BD676/D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1 MHzBase Number Matches：1

BD676/D 数据手册

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BD676, BD676A, BD678,  
BD678A, BD680, BD680A,  
BD682  
Plastic Medium-Power  
Silicon PNP Darlingtons  
http://onsemi.com  
...for use as output devices in complementary general–purpose  
amplifier applications.  
4.0 AMPERE  
DARLINGTON  
• High DC Current Gain –  
h
FE  
= 750 (Min) @ I = 1.5 and 2.0 Adc  
C
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
45, 60, 80, 100 VOLTS  
40 WATTS  
• Monolithic Construction  
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with  
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681  
• BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
BD676, BD676A  
45  
60  
80  
BD678, BD678A  
BD680, BD680A  
BD682  
100  
Collector-Base Voltage  
V
CB  
Vdc  
TO–225AA  
CASE 77  
STYLE 1  
BD676, BD676A  
BD678, BD678A  
BD680, BD680A  
BD682  
45  
60  
80  
100  
MARKING DIAGRAM  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
4.0  
0.1  
Vdc  
Adc  
Adc  
EB  
Collector Current  
Base Current  
I
C
YWW  
BD6xxx  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
40  
0.32  
W
W/°C  
C
Y
= Year  
= Work Week  
WW  
BD6xxx = Specific Device Code  
xxx = 76, 76A, 78, 78A, 80, 80A or 82  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Max  
Unit  
Device  
BD676  
Package  
TO–225AA  
TO–225AA  
TO–225AA  
TO–225AA  
TO–225AA  
TO–225AA  
TO–225AA  
Shipping  
Thermal Resistance –  
Junction to Case  
R
3.13  
°C/W  
θ
JC  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
BD676A  
BD678  
BD678A  
BD680  
BD680A  
BD682  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 9  
BD676/D  
1234

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