BD676AG

更新时间： 2024-01-28 04:48:44

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

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BD676AG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.16
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

BD676AG 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS

BD676, 676A

BD678, 678A

BD680, 680A

BD682, 684

TO126

Plastic Package

For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications.

COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683

BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

BD676 BD678 BD680 BD682 BD684

BD676A BD678A BD680A

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

5.0

100 120

Collector Current

4.0

I_B

Base Current

0.1

P_D

Collector Power Dissipation @ Tc=25ºC

Derate above 25ºC

Operation and Storage Junction

Temperature Range

W/ºC

ºC

0.32

-55 to +150

T_j,T_stg

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

R_th(j-c)

3.13

ºC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

SYMBOL

BD676 BD678 BD680 BD682 BD684

BD676A BD678A BD680A

DESCRIPTION

TEST CONDITION

UNIT

BV_CEO* I_C=50mA, I_B=0

I_CEOV_CE=Half RatedV_CEO

I_B=0

Collector Emitter Voltage

Collector Cut off Current

>45

>60

>80 >100 >120

<500 <500 <500 <500 >120 µA

I_CBOV_CB=Rated V_CBO,I_E=0

Collector Cut off Current

<0.2

<0.2 <0.2 <0.2 mA

V_CB=Rated V_CBO,I_E=0

Ta=100ºC

I_EBOV_EB=5V,I_C=0

h_FE*

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

I_C=1.5A, V_CE=3V

I_C=2A, V_CE=3V

NON A

<-------------- >750--------------->

<----------------- >750----------------->

12 3

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BD676AG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD676AS	ONSEMI	类似代替	4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD676A	ONSEMI	类似代替	DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
TIP32CG	ONSEMI	功能相似	Complementary Silicon Plastic Power Transistors

与BD676AG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD676ALEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD676AS	ROCHESTER	获取价格	4A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD676AS	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD676G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons
BD676LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD677	MOTOROLA	获取价格	Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons
BD677	ONSEMI	获取价格	DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON
BD677	INFINEON	获取价格	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
BD677	CENTRAL	获取价格	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
BD677	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Darligton Power Transistors

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