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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD676AG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
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| BD676ALEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD676AS | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 45V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
|
| BD676AS | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor |
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| BD676G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
|
| BD676LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD677 | MOTOROLA |
获取价格 |
Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons |
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| BD677 | ONSEMI |
获取价格 |
DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
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| BD677 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
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| BD677 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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