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BD676AS

更新时间： 2024-09-26 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

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BD676AS 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.3
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD676AS 数据手册

 浏览型号BD676AS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD676AS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD676AS的Datasheet PDF文件第4页 
BD676, BD676A, BD678,  
BD678A, BD680, BD680A,  
BD682, BD682T  
Plastic Medium−Power  
Silicon PNP Darlingtons  
http://onsemi.com  
This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington  
transistors can be used as output devices in complementary  
general−purpose amplifier applications.  
4.0 AMP DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
Features  
• High DC Current Gain −  
45, 60, 80, 100 VOLT, 40 WATT  
h
= 750 (Min) @ I = 1.5 and 2.0 Adc  
C
FE  
• Monolithic Construction  
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary  
with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681  
• BD678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703  
• Pb−Free Package are Available*  
TO−225AA  
CASE 77  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
3
2
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
V
Vdc  
CEO  
BD676, BD676A  
45  
60  
80  
BD678, BD678A  
BD680, BD680A  
BD682  
MARKING DIAGRAMS  
100  
Collector-Base Voltage  
V
Vdc  
CB  
EB  
BD676, BD676A  
BD678, BD678A  
BD680, BD680A  
BD682  
45  
60  
80  
YWW  
B
YWW  
BD6xxG  
BD6xxG  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
V
5.0  
4.0  
0.1  
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
BD6xx = Device Code  
xx = 76, 76A, 78, 78A,  
80, 80A, 82, or 82T  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
Y
= Year  
@ T = 25°C  
40  
0.32  
W
W/°C  
C
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
3.13  
°C/W  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
Publication Order Number:  
October, 2005 − Rev. 12  
BD676/D  
1234

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BD676AS 替代型号

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