是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-251AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.42 |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用: | EFFICIENCY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.8 V | JEDEC-95代码: | TO-251AB |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 最大非重复峰值正向电流: | 75 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD311 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD311 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
BD311 | MOTOROLA |
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10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
BD311 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 10A | |
BD311NPN | MOTOROLA |
获取价格 |
10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
BD312 | MOTOROLA |
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10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
BD312 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
BD312 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
BD312 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 10A | |
BD312PNP | MOTOROLA |
获取价格 |
10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |