Datasheet > BD3150T

BD3150T

更新时间： 2024-11-23 08:51:19

品牌	Logo	应用领域
强茂 - PANJIT		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	44K
描述
THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD3150T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-251AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.83	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	75 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BD3150T 数据手册

BD340T~BD3200T

THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

Unit : inch (mm)

TO-251AB

3.0 Ampere

CURRENT

VOLTAGE 40 to 200 Volts

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

.264(6.7)

.248(6.3)

.098(2.5)

.082(2.1)

• For surface mounted applications

• Low profile package

.024(0.6)

.016(0.4)

.216(5.5)

.200(5.1)

• Built-in strain relief

• Low power loss, High efficiency

• High surge capacity

• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and

polarity protection applications

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.071(1.8)

.051(1.3)

.032(0.8)

.012(0.3)

MECHANICALDATA

.02(0.5)

• Case: TO-251AB molded plastic

.09 .09

(2.3) (2.3)

• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: As marking

• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.

MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.

BD340T

BD345T BD350T BD360T BD380T BD390T BD3100T BD3150T BD3200T

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

100

150

200

Maximum RMS Voltage

V_{RM S}

V_{D C}

31.5

105

150

140

200

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current (See Figure 1)

I_{F (AV )}

I_{F S M}

V_F

3.0

Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load(JEDEC method)

Maximum Forward Voltage at 3.0A ( Note 1)

0.70

0.74

0.80

0.90

Maximum DC Reverse Current T_J=25^OC

at Rated DC Blocking Voltage T_J=100^OC

0.05

I_R

R_θJL

R_θJA

Typical Thermal Resistance ( Note 2)

^OC / W

^OC

Operating Junction and Storage Temperature

Range

-55 to +150

T_J,T_{S T G}

-65 to +175

NOTES:

1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.

2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²(.013mm thick) copper pad areas.

PAGE . 1

STAD-APR.28.2009

中文翻译

下载PDF

与BD3150T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD3150YS	PANJIT	获取价格	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD3150YT	PANJIT	获取价格	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD316	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
BD316	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD317	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD317	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BD317	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BD317	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BD318	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BD318	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

与BD3150T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD3150T

BD3150T 技术参数

BD3150T 数据手册

与BD3150T相关器件

与BD3150T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD3150T

BD3150T 技术参数

BD3150T 数据手册

与BD3150T相关器件

与BD3150T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？