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BD3150T

更新时间： 2024-09-24 08:51:19

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
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描述
THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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BD3150T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-251AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.83	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	75 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BD3150T 数据手册

BD340T~BD3200T

THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

Unit : inch (mm)

TO-251AB

3.0 Ampere

CURRENT

VOLTAGE 40 to 200 Volts

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

.264(6.7)

.248(6.3)

.098(2.5)

.082(2.1)

• For surface mounted applications

• Low profile package

.024(0.6)

.016(0.4)

.216(5.5)

.200(5.1)

• Built-in strain relief

• Low power loss, High efficiency

• High surge capacity

• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and

polarity protection applications

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.071(1.8)

.051(1.3)

.032(0.8)

.012(0.3)

MECHANICALDATA

.02(0.5)

• Case: TO-251AB molded plastic

.09 .09

(2.3) (2.3)

• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: As marking

• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.

MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.

BD340T

BD345T BD350T BD360T BD380T BD390T BD3100T BD3150T BD3200T

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

100

150

200

Maximum RMS Voltage

V_{RM S}

V_{D C}

31.5

105

150

140

200

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current (See Figure 1)

I_{F (AV )}

I_{F S M}

V_F

3.0

Peak Forward Surge Current :8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load(JEDEC method)

Maximum Forward Voltage at 3.0A ( Note 1)

0.70

0.74

0.80

0.90

Maximum DC Reverse Current T_J=25^OC

at Rated DC Blocking Voltage T_J=100^OC

0.05

I_R

R_θJL

R_θJA

Typical Thermal Resistance ( Note 2)

^OC / W

^OC

Operating Junction and Storage Temperature

Range

-55 to +150

T_J,T_{S T G}

-65 to +175

NOTES:

1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.

2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm²(.013mm thick) copper pad areas.

PAGE . 1

STAD-APR.28.2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD3150YS	PANJIT	获取价格	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD3150YT	PANJIT	获取价格	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD316	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
BD316	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD317	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD317	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BD317	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BD317	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
BD318	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
BD318	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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