BD314

更新时间： 2024-10-01 06:41:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	193K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BD314 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BD314 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD314

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·DC Current Gain-h_FE= 25(Min.)@I_C= -4A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.0 V(Max)@ I_C= -5A

·Complement to Type BD313

APPLICATIONS

·Designed for high quality amplifiers operating up to 60 watts

into 4 ohm load.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-80

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-10

I_CM

-20

I_B

Base Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

-4

P_C

115

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.52

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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