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BD312

更新时间： 2024-11-23 08:51:19

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD312 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BD312 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD312

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High DC current gain

·Excellent safe operating area

·Complement to type BD311

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-5

-10

I_CM

Collector current(peak)

Base current

-20

I_B

-4

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

115

℃

T_j

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

1.52

℃/W

12 3

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与BD312相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD312PNP	MOTOROLA	获取价格	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD313	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BD314	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
BD314	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 10A
BD315	MOTOROLA	获取价格	16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD315	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
BD3150L50100A00	ANAREN	获取价格	Ultra Small Low Profile 0603 Balun 50ヘ to 100
BD3150L50100AHF	ANAREN	获取价格	RF Transformer 1: 1.41 6 Terminal SMD
BD3150L50200A00	ANAREN	获取价格	Ultra Small Low Profile 0603 Balun 50ヘ to 200
BD3150N50100AHF	ANAREN	获取价格	RF Transformer, 3100MHz Min, 5000MHz Max, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT