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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-62, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JEDEC-95代码： | TO-243 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX55-10,115 | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistor SOT-89 3-Pin |
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| BCX55-10-BG | ZETEX |
获取价格 |
SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCX55-10BK | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| BCX55-10E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCX55-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCX55-10LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCX55-10-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
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| BCX55-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN power bipolar transistorsProduction |
|
| BCX55-10T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| BCX5510TA | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
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