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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX55-10TR | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX55-10TR13 | CENTRAL |
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Transistor |
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| BCX5516 | DIODES |
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NPN, 60V, 1A, SOT89 |
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| BCX55-16 | KEXIN |
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NPN Medium Power Transistors |
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| BCX55-16 | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
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| BCX55-16 | NXP |
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NPN medium power transistors |
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| BCX55-16 | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
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| BCX55-16 | MCC |
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NPN Plastic-Encapsulate Transistors |
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| BCX55-16 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| BCX55-16 | TYSEMI |
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High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V).Collector current IC 1 A |
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