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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BCX55-16
BCX55-16 PDF预览

BCX55-16

更新时间： 2024-11-23 08:50:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 284K
描述
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

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BCX55-16 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.07Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
Base Number Matches：1

BCX55-16 数据手册

 浏览型号BCX55-16的Datasheet PDF文件第2页 
BCX54  
BCX55  
BCX56  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX54, BCX55,  
and BCX56 types are NPN Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for high  
current general purpose amplifier applications.  
NPN SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE  
ON FOLLOWING PAGE  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BCX54  
45  
45  
BCX55  
60  
60  
5.0  
1.0  
1.5  
100  
200  
1.3  
BCX56  
100  
80  
UNITS  
V
V
V
A
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
A
CM  
I
mA  
mA  
W
°C  
°C/W  
B
I
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
96  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V, T =125°C  
=5.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
A
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100µA (BCX54)  
45  
60  
100  
45  
60  
80  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =100µA (BCX55)  
C
I =100µA (BCX56)  
C
I =10mA (BCX54)  
C
I =10mA (BCX55)  
C
I =10mA (BCX56)  
V
V
V
C
V
V
h
h
h
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1.0  
C
B
C
C
C
V
=2.0V, I =500mA  
=2.0V, I =5.0mA  
=2.0V, I =150mA  
=2.0V, I =150mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
40  
63  
250  
160  
250  
FE  
FE  
C
(BCX54-10, BCX55-10, BCX56-10)  
V =2.0V, I =150mA  
63  
h
h
FE  
CE  
(BCX54-16, BCX55-16, BCX56-16)  
=2.0V, I =500mA  
C
100  
25  
V
V
FE  
CE  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
130  
MHz  
T
CE  
C
R5 (20-November 2009)  
12

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BCX55-16 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCX55-16,135 NXP

功能相似

 60 V, 1 A NPN medium power transistor SOT-89 3-Pin

与BCX55-16相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX55-16,115 ETC

获取价格

 		TRANS NPN 60V 1A SOT89
BCX55-16,135 NXP

获取价格

 		60 V, 1 A NPN medium power transistor SOT-89 3-Pin
BCX55-16/T1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR SOT-89
BCX55-16/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
BCX55-16BK CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
BCX55-16-BM ZETEX

获取价格

 		SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX55-16E6327 ROCHESTER

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 		1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX55-16E6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCX5516E6433HTMA1 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
BCX55-16LEADFREE CENTRAL

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