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BCX53-10

更新时间： 2024-01-24 23:53:00

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	176K
描述
High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V). Emitter-base voltage VEBO -5 V

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BCX53-10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.02	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

BCX53-10 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TransistIoCrs

Product specification

BCX51,BCX52,BCX53

Features

High current (max. 1 A).

Low voltage (max. 80 V).

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

V^CBO

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

BCX51

-45

-60

BCX52

BCX53

BCX51

BCX52

BCX53

-100

-45

V^CEO

-60

-80

Emitter-base voltage

Collector current

V^EBO

I^C

-5

-1

Peak collector current

Peak base current

I^CM

-1.5

I^BM

-200

1.3

Total power dissipation

Storage temperature

Junction temperature

Operating ambient temperature

P^tot

T^stg

T^j

-65 to +150

150

R^amb

R^th(j-a)

R^th(j-s)

-65 to +150

Thermal resistance from junction to ambient

Thermal resistance from junction to solder point

K/W

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

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sales@twtysemi.com

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