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BCX53-16

更新时间： 2024-01-11 02:19:01

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WEITRON		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	681K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistor

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BCX53-16 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.58
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	63	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

BCX53-16 数据手册

BCX53

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

P b

Lead(Pb)-Free

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

SOT-89

MAXIMUM RATINGS ( T =25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

-100

-80

Unit

CBO

Collector-Base Voltage

CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

EBO

-5.0

-1.0

Collector Current Continuous

˚C

500

Total Device Dissipation T =25°C

+150

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to +150

˚C

Tstg

Device Marking

BCX53=AH , BCX53-10=AK , BCX53-16=AL

OFF CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

-100

-80

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage, I = -100µA, I = 0

V(BR)

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage, I = -10mA, I = 0

Emitter-Base Breakdown Voltage, I = -10µA, I = 0

-5.0

Collector Cut-oﬀ Current, V = -30V, I = 0

µA

-0.1

CBO

Emitter Cut-oﬀ Current, V = -5.0V, I = 0

EBO

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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12-Oct-06

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