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BCX52

更新时间： 2024-11-25 11:11:43

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安世 - NEXPERIA		晶体管
页数	文件大小	规格书
22页	1738K
描述
60 V, 1 A PNP medium power transistorProduction

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BCX52 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.07	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	145 MHz
Base Number Matches：	1

BCX52 数据手册

BCP52; BCX52; BC52PA

60 V, 1 A PNP medium power transistors

Rev. 9 — 18 October 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.

Table 1. Product overview

Type number^[1]

Package

Nexperia

SOT223

SOT89

NPN complement

JEITA

SC-73

SC-62

JEDEC

BCP52

BCX52

BC52PA

BCP55

BCX55

BC55PA

TO-243

SOT1061

[1] Valid for all available selection groups.

1.2 Features and benefits

 High current

 Three current gain selections

 High power dissipation capability

 Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)

 Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)

 AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

 Linear voltage regulators

 High-side switches

 Battery-driven devices

 Power management

 MOSFET drivers

 Amplifiers

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

60

1

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

I_CM

peak collector current

single pulse; t_p 1 ms

2

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCX52,115	ETC	获取价格	TRANS PNP 60V 1A SOT89
BCX52_15	WINNERJOIN	获取价格	PNP TRANSISTOR
BCX5210	DIODES	获取价格	PNP, 60V, 1A, SOT89
BCX52-10	NEXPERIA	获取价格	60 V, 1 A PNP medium power transistorProduction
BCX52-10	NXP	获取价格	PNP medium power transistors
BCX52-10	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistors
BCX52-10	MCC	获取价格	PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BCX52-10	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BCX52-10	KEXIN	获取价格	PNP Medium Power Transistors
BCX52-10	TYSEMI	获取价格	High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V). Emitter-base voltage VEBO -5 V