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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX52-10E6433 | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BCX52-10LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| BCX52-10PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| BCX52-10T | NEXPERIA |
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60 V, 1 A PNP power bipolar transistorsProduction |
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| BCX52-10T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| BCX5210TA | DIODES |
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
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| BCX52-10TA | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCX52-10TA | DIODES |
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1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BCX52-10-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BCX52-10-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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