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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 380 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.35 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW60DTRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60DTRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW60DTRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW60FF | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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| BCW60FFE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60FFE6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW60FFE6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60FN | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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| BCW60FNE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60FNE6393 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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