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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.33 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.55 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW60FNE6393 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BCW60FNE6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RA | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60SERIES | ETC |
获取价格 |
NPN general purpose transistors |
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| BCW60TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW60TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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