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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.33 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW60R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RA | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RC | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60SERIES | ETC |
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NPN general purpose transistors |
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| BCW60TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW60TR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW61 | VISHAY |
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Small Signal Transistors (PNP) |
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| BCW61 | BL Galaxy Electrical |
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PNP General Purpose Amplifier |
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