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BCW61A

更新时间： 2024-02-15 21:39:48

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TYSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	163K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V

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BCW61A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.07
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
VCEsat-Max：	0.55 V	Base Number Matches：	1

BCW61A 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

BCW61A/B/C/D

Features

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

PNP Epitaxial Silicon Transistor

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25 unless otherwise noted

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-32

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-32

-5

-100

Collector Power Dissipation

Storage Temperature

P^C

350

T^STG

-55 to +150

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCW61A/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BCW61A_01	DIOTEC	获取价格	General Purpose Transistor
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