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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 130 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.55 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW60RA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
|
| BCW60RB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
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| BCW60RD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236 |
|
| BCW60SERIES | ETC |
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NPN general purpose transistors |
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| BCW60TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| BCW60TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| BCW61 | VISHAY |
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Small Signal Transistors (PNP) |
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| BCW61 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| BCW61 | SEMTECH |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors |
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