BCW61A

更新时间： 2024-01-31 14:29:00

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管
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2页	101K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

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BCW61A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.07
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
VCEsat-Max：	0.55 V	Base Number Matches：	1

BCW61A 数据手册

BCW61A ... BCW61D

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2006-07-31

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BCW60A ... BCW60D

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EB0

P_tot

32 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_CM

- I_BM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

- V_CE= 1 V, - I_C= 50 mA

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h_FE

140

200

300

460

–

100

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h_FE

120

180

250

380

170

250

350

500

220

310

460

630

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h_FE

100

110

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW61A/E8	VISHAY	获取价格	Transistor
BCW61A/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BCW61A_01	DIOTEC	获取价格	General Purpose Transistor
BCW61A_07	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistors
BCW61ABK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61AD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61AE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61AE6327	ROCHESTER	获取价格	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61AE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61AE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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