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BCW61A PDF预览

BCW61A

更新时间： 2024-01-16 19:22:16
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 35K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BCW61A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.07
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
VCEsat-Max：0.55 VBase Number Matches：1

BCW61A 数据手册

 浏览型号BCW61A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCW61A的Datasheet PDF文件第3页 
BCW61A/B/C/D  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR  
SOT-23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Storage Temperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TSTG  
-32  
-32  
-5.0  
-100  
350  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
-55 ~ 150  
· Refer to KS5086 for graphs  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
IC= -2mA, IB=0  
IE= -1mA, IC=0  
VCB= -32V, VBE=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
BVCEO  
BVEBO  
ICES  
-32  
-5  
V
V
nA  
-20  
DC Current Gain  
hFE  
VCE= -5V, IC= -10mA  
: BCW61B  
: BCW61C  
20  
40  
: BCW61D  
: BCW61A  
: BCW61B  
: BCW61C  
: BCW61D  
: BCW61A  
100  
120  
140  
250  
380  
60  
VCE= -5V, IC= -2mA  
220  
310  
460  
630  
VCE= -5V, IC= -50mA  
: BCW61B  
80  
: BCW61C  
: BCW61D  
100  
100  
IC= -50mA, IB= -1.25mA  
IC= -10mA, IB= -0.25mA  
IC= -50mA, IB= -1.25mA  
IC= -10mA, IB= -0.25mA  
VCE= -5V, IC= -2mA  
VCB= -10V, IE=0  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
V
V
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-0.55  
-0.25  
1.05  
0.85  
0.75  
6
0.68  
0.6  
0.6  
Base-Emitter Saturation Voltage  
VBE (on)  
COB  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
pF  
f=1MHz  
IC= -0.2mA, VCE= -5V  
RG=20KW, f=1KHz  
NF  
dB  
Noise Figure  
6
IC= -10mA, IB1= -1mA  
VBB= -3.6V, IB2= -1mA  
R1=R2=50KW, RL=990W  
tON  
tOFF  
ns  
ns  
Turn On Time  
Turn Off Time  
150  
800  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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