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BCW61

更新时间： 2024-02-26 05:26:06
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 34K
描述
Small Signal Transistors (PNP)

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BCW61 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.07
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
VCEsat-Max：0.55 VBase Number Matches：1

BCW61 数据手册

 浏览型号BCW61的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCW61的Datasheet PDF文件第3页 
BCW61 Series  
New Product  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Small Signal Transistors (PNP)  
TO-236AB (SOT-23)  
.122 (3.1)  
.110 (2.8)  
.016 (0.4)  
Top View  
Mounting Pad Layout  
3
0.031 (0.8)  
Pin Configuration  
1. Base 2. Emitter  
3. Collector  
0.035 (0.9)  
1
2
0.079 (2.0)  
.037(0.95)  
.037(0.95)  
0.037 (0.95)  
0.037 (0.95)  
.102 (2.6)  
.094 (2.4)  
.016 (0.4) .016 (0.4)  
Mechanical Data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case: SOT-23 Plastic Package  
Weight: approx. 0.008g  
Features  
Marking  
Code:  
BCW61A = BA  
BCW61B = BB  
BCW61C = BC  
BCW61D = BD  
• PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors  
• Suited for low level, low noise, low  
frequency applications in hybrid cicuits.  
• Low Current, Low Voltage.  
Packaging Codes/Options:  
E8/10K per 13” reel (8mm tape), 30K/box  
E9/3K per 7” reel (8mm tape), 30K/box  
• As complementary types, BCW60 Series NPN  
transistors are recommended.  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
–VCES  
–VCEO  
–VEBO  
–IC  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
32  
V
32  
V
5.0  
V
Collector Current (DC)  
100  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak Collector Current  
–ICM  
–IB  
200  
Base Current (DC)  
50  
Power Dissipation  
Ptot  
250  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Tj  
150  
TSTG  
RθJA  
–65 to +150  
500(1)  
°C  
°C/W  
Note:  
(1) Mounted on FR-4 printed-ciruit board.  
Document Number 88171  
09-May-02  
www.vishay.com  
1
123

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与BCW61相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW61A ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
BCW61A TYSEMI

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector-Base Voltage VCBO -32 V
BCW61A KEXIN

获取价格

 		General Purpose Transistor
BCW61A SAMSUNG

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BCW61A FAIRCHILD

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BCW61A INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)
BCW61A DIOTEC

获取价格

 		Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
BCW61A CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
BCW61A/E8 VISHAY

获取价格

 		Transistor
BCW61A/E9 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23

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