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BCR35

更新时间： 2024-02-01 14:21:51

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英飞凌 - INFINEON		开关驱动
页数	文件大小	规格书
5页	67K
描述
NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

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BCR35 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.43	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR35 数据手册

BCR 35PN

NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

drive circuit

• Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP

Transistor in one package

Ω

• Built in bias resistor (R =10k , R =47k )

Tape loading orientation

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BCR 35PN WUs

Q62702-C2495 1=E1 2=B1 3=C2 4= E2 5=B2 6= C1 SOT-363

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

°C

Total power dissipation, T = 115°C

250

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

275

K/W

thJA

Junction - soldering point

≤ 140

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm²Cu

Semiconductor Group

Nov-26-1996

12 3 4 5

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