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BCR35PNH6433XTMA1 PDF预览

BCR35PNH6433XTMA1

更新时间： 2024-11-26 19:17:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 529K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-6

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BCR35PNH6433XTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：5.73
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

BCR35PNH6433XTMA1 数据手册

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BCR35PN  
NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
4
5
3
2
6
• Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP  
1
Transistors in one package  
• Built in bias resistor NPN and PNP  
(R =10 kΩ, R =47 kΩ)  
• Pb-free (ROHS compliant) package  
• Qualified according AEC Q101  
1
2
C1  
6
B2  
5
E2  
4
R2  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
1
2
3
E1  
B1  
C2  
EHA07176  
Tape loading orientation  
Marking on SOT-363 package  
(for example W1s)  
corresponds to pin 1 of device  
Top View  
6 5 4  
W1s  
Position in tape: pin 1  
opposite of feed hole side  
1 2 3  
Direction of Unreeling  
EHA07193  
Type  
BCR35PN  
Marking  
WUs  
Pin Configuration  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1  
Package  
SOT363  
Maximum Ratings for NPN and PNP Types  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
50  
50  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Input forward voltage  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
i(fwd)  
i(rev)  
40  
6
Input reverse voltage  
100  
250  
150  
mA  
mW  
°C  
DC collector current  
Total power dissipation, T = 115 °C  
Junction temperature  
Storage temperature  
I
P
T
j
T
C
S
tot  
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Junction - soldering point  
1)  
R
≤ 140  
K/W  
thJS  
1
For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2011-07-28  
1
1234567

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BCR35PNH6433XTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCR35PNH6327XTSA1 INFINEON

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,

与BCR35PNH6433XTMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCR39 INFINEON

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 		NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
BCR39PN INFINEON

获取价格

 		NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array
BCR3AM MITSUBISHI

获取价格

 		LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
BCR3AM POWEREX

获取价格

 		Triac 3 Amperes/400-600 Volts
BCR3AM12 ETC

获取价格

 		TRIAC|600V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-202AB
BCR3AM-12 POWEREX

获取价格

 		Triac 3 Amperes/400-600 Volts
BCR3AM-12B RENESAS

获取价格

 		600V - 3A - Triac Low Power Use
BCR3AM-14B RENESAS

获取价格

 		800V, 3A, TRIAC, TO-92, SC-43A, 3 PIN
BCR3AM-14B-A6 RENESAS

获取价格

 		800V, 3A, TRIAC, TO-92, SC-43A, 3 PIN
BCR3AM-14B-A6#B00 RENESAS

获取价格

 		TRIAC

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