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BCR3AS

更新时间： 2024-11-27 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 88K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR3AS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3 A断态重复峰值电压：600 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

BCR3AS 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR3AS  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
Dimensions  
in mm  
BCR3AS  
OUTLINE DRAWING  
6.5  
5.0±0.2  
4
0.5±0.1  
TYPE  
NAME  
VOLTAGE  
CLASS  
1.0  
0.9 MAX  
0.5±0.2  
0.8  
2.3 2.3  
Measurement point of  
case temperature  
1
2
3
2 4  
T
T
1
2
TERMINAL  
TERMINAL  
1
2
3
4
• IT (RMS) ........................................................................3A  
• VDRM ..............................................................400V/600V  
GATE TERMINAL  
TERMINAL  
3
T
2
1
✽2  
• IFGT !, IRGT !, IRGT # ......................... 15mA (10mA)  
MP-3  
APPLICATION  
Hybrid IC, solid state relay, switching mode power supply, light dimmer,  
electric fan, electric blankets,  
control of household equipment such as washing machine,  
other general purpose control applications  
MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
8
12  
✽1  
VDRM  
VDSM  
Repetitive peak off-state voltage  
400  
500  
600  
720  
V
V
✽1  
Non-repetitive peak off-state voltage  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
IT (RMS)  
ITSM  
Commercial frequency, sine full wave 360° conduction, Tc=108°C  
3
60Hz sinewave 1 full cycle, peak value, non-repetitive  
30  
A
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state  
current  
2
2
2
I t  
I t for fusing  
3.7  
A s  
PGM  
PG (AV)  
VGM  
IGM  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate voltage  
3
0.3  
6
W
W
V
Peak gate current  
0.3  
A
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
Weight  
–40 ~ +125  
–40 ~ +125  
0.26  
°C  
°C  
g
Tstg  
—
Typical value  
✽1. Gate open.  
Feb.1999  
12345

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