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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 6.91 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR35PNH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| BCR35PNH6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| BCR35PNH6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
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| BCR39 | INFINEON |
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NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array |
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| BCR39PN | INFINEON |
获取价格 |
NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array |
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| BCR3AM | MITSUBISHI |
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LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE |
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| BCR3AM | POWEREX |
获取价格 |
Triac 3 Amperes/400-600 Volts |
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| BCR3AM12 | ETC |
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TRIAC|600V V(DRM)|3A I(T)RMS|TO-202AB |
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| BCR3AM-12 | POWEREX |
获取价格 |
Triac 3 Amperes/400-600 Volts |
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| BCR3AM-12B | RENESAS |
获取价格 |
600V - 3A - Triac Low Power Use |
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