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BCR196

更新时间： 2024-01-06 10:38:56
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR196 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.48其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：0.25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

BCR196 数据手册

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BCR 196  
PNP Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Ω
Ω
• Built in bias resistor (R =47k , R =22k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
WXs  
Pin Configuration  
Package  
BCR 196  
UPON INQUIRY 1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
V
V
V
50  
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
50  
10  
50  
DC collector current  
I
70  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 102°C  
P
200  
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
≤
Junction ambient  
R
R
350  
240  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-27-1996  
1234

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