BCR512

更新时间： 2024-02-09 18:08:38

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
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描述
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

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BCR512 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR512 数据手册

BCR 512

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

drive circuit

Ω

• Built in bias resistor (R =4.7k , R =4.7k )

Type

Marking Ordering Code

XFs Q62702-C2445

Pin Configuration

Package

BCR 512

1 = B

2 = E

3 = C

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

500

°C

Total power dissipation, T = 79 °C

330

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction ambient

325

215

K/W

thJA

Junction - soldering point

thJS

1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm²Cu

Semiconductor Group

Nov-27-1996

12 3 4

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