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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.48 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR196WH6327XTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BCR198 | INFINEON |
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PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir |
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| BCR198_09 | INFINEON |
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PNP Silicon Digital Transistor |
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| BCR198B6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| BCR198E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCR198E6393 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BCR198E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR198E6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR198F | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
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| BCR198L3 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
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