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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 190 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCR198S | INFINEON |
类似代替  |
PNP Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driv |
|
| MUN2140T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Bias Resistor Transistors |
|
| MUN5137DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR198WE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR198WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR198WE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR198WH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
|
| BCR198WQ62702C2283 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR DIGITAL SOT323 |
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| BCR199 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
|
| BCR199F | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
|
| BCR199L3 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
|
| BCR199L3E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCR199T | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Digital Transistor |
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