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BCR1AM-14A

更新时间： 2022-04-12 03:35:28

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		可控硅
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
700V-1A-Triac Low Power Use

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BCR1AM-14A 数据手册

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Preliminary Datasheet

BCR1AM-14A

700V-1A-Triac

R07DS1076EJ0100

Rev.1.00

Low Power Use

May 30, 2013

Features

•

•

•

•

•

I_{T (RMS)}: 1 A

_DRM:700 V

•

Planar Type

V

I

I

I

_FGTI: 5 mA

_RGTI, I_RGTIII: 5 mA or 3mA(I_GT:item1)

_{FGT III}: 10 mA

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003EA-A

(Package name: TO-92*)

2

1. T Terminal

1

2. T Terminal

2

3. Gate Terminal

3

1

1

3

2

Maximum Ratings

Voltage class

Parameter

Symbol

Unit

14

Repetitive peak off-state voltage^Note1

Non- repetitive peak off-state voltage^Note1

Notes: 1. Gate open.

V_DRM

V_DSM

700

840

V

V

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Conditions

RMS on-state current

I_{T (RMS)}

I_TSM

I²t

1.0

A

Commercial frequency, sine full wave

360° conduction, , Tc= 56°C^Note3

Surge on-state current

I²t for fusing

10

A

60Hz sinewave 1 full cycle, peak value,

non-repetitive

0.41

A²s

Value corresponding to 1 cycle of half

wave 60Hz, surge on-state current

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Peak gate voltage

P_GM

P_{G (AV)}

V_GM

I_GM

1

W

W

V

0.1

6

Peak gate current

0.5

A

Junction temperature

Storage temperature

Mass

Tj

– 40 to +125

– 40 to +125

0.23

°C

°C

g

Tstg

—

Typical value

R07DS1076EJ0100 Rev.1.00

May 30, 2013

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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